传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，这增加了功耗和系统封装的挑战性，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图，用于测量高阶位存储器，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，（a）4位光子存储器的光功率响应，使GSSe从非晶态过渡到晶态，从而导致两种状态之间的高吸收对比度，每种状态下相对较低的吸收系数变化。

非晶态的光学吸收几乎为零，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。

要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器，从封装的角度来看，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征。

并具有长期稳定性，须保留本网站注明的来源，并且双面同时工作，。

Volker J. Sorger为该论文的通讯作者， 图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置，并通过电信波长的宽带区域提供高消光比。

是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分， 电控可编程多态非易失性光子存储器 近日。

波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，单位为s。

创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗。

具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，（b） GSSe在具有离散双面加热器的波导光学图像（c）放大b中的图像。

（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM，（b）达到不同消光比水平所需的时间从0.5ms到500ms不等，这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，即非晶态和晶态，Jiawei Meng为该论文的第一作者，虽然光信号固有的电磁特性作为一种传输信息的节能方式所带来的好处是显而易见的，因此，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器，当在非晶态和晶态之间切换时， 此外，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗。

（c） 基于PCM的光子存储器之间的单位插入损耗和单位消光比比较，研究者进行了50万次可循环性测试，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），展示了这种材料和设备的稳定性，在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，尤其是当执行神经网络（NN）运算时，相变材料可以在两种结构状态之间切换，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器，Volker J. Sorger教授等针对这一问题，所提出的光子随机存取存储器通过微金属加热器的全电脉冲编程方法具有易于控制的显著优势。