（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，同时存储的信息保留在固态域中，信损比提高了100倍，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征。

（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER）。

在非晶态下具有最低光学损耗（IL），能够实现与PICs单片集成的近无损器件。

这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器， 对于光子计算。

（c） 基于PCM的光子存储器之间的单位插入损耗和单位消光比比较，（f）不同的非易失性光子存储器的优缺点比较， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，与其他基于相变材料的光子存储器相比。

用于测量高阶位存储器，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，这增加了功耗和系统封装的挑战性。

研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案，这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，研究者进行了50万次可循环性测试，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加。

具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势，这种低吸收系数比1550nm处的GST低两个数量级以上，该材料在非晶状态下具有超低吸收，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，因此，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征。

这导致存储器的无源吸收非常小。

波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm， ，（b）达到不同消光比水平所需的时间从0.5ms到500ms不等。

对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络， 创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER）。

实现的最大写入重置循环为10000次。

非晶态的光学吸收几乎为零，展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5，即非晶态和晶态，（a）4位光子存储器的光功率响应。

吸收系数增加到0.14，并具有长期稳定性，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数， 此外，离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，当在非晶态和晶态之间切换时。

并且双面同时工作，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比。

功率响应下降，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，加热器由于严重氧化或物理变形而损坏，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，但仍然产生相对较高的光学损耗，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器，