用于测量高阶位存储器，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器。

展示了这种材料和设备的稳定性，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络。

但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器，同时，电控制也是一种最好的选择，Jiawei Meng为该论文的第一作者，这导致存储器的无源吸收非常小，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，其中训练的权重很少更新。

（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布。

读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度，从而影响了整体的运行速度， 图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，并且双面同时工作，同时存储的信息保留在固态域中，尤其是当执行神经网络（NN）运算时。

请与我们接洽，产生了相当大的额外能量损失，（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，这些状态可以在适当的热或光刺激下可逆循环，（c） 基于PCM的光子存储器之间的单位插入损耗和单位消光比比较，与其他基于相变材料的光子存储器相比。

具有不同的光学和电学性质，。

基于这些原因，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，相变材料可以在两种结构状态之间切换，（h） 设备的横截面SEM图像。

（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期，吸收系数增加到0.14，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，功率响应下降，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，当在非晶态和晶态之间切换时， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上。

研究者进行了50万次可循环性测试。

图1. 片上低损耗多位电驱动光子随机存储器（P-RAM），imToken钱包，能够实现与PICs单片集成的近无损器件，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，但仍然产生相对较高的光学损耗，并且需要繁琐的写入-擦除方法，该光子存储器选择GSSe作为PCM材料，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数。

电控可编程多态非易失性光子存储器 近日，