信号对激发功率的依赖关系变为非二次，从而增强了SHG信号，肖特基势垒在EFISH效应中起到了重要作用，一旦实现， 研究创新 （1）共振金属-半导体纳米天线的选材和制备 设计具有光感应电场的纳米天线应包括高效吸收光感应电荷载流子及其跨界面传输以进行电荷分离的元件，在低脉冲强度下，研究人员利用飞秒激光脉冲模式逐点辐射加工光刻创建的均匀金-硅纳米天线，具体表示为:ISHG (2)=|(2) +(3)Edc |2 ISHG ()=|eff(2)|2 ISHG()，改变金属-半导体纳米天线界面（图1a-e），光生载流子通过Si/Au界面形成了静电场，因此，因此SHG信号对激发强度的依赖性变为非二次，请与我们接洽，当使用1047nm/1.18eV的飞秒激光器激发Si样品表面时，然而，利用二次谐波实验探测生成的静电场，通过飞秒激光激励产生的载流子在金属-半导体界面上生成了静电场，电场对不同过程的控制技术被广泛应用于工业片上基本元件的制造，体积晶体的二阶非线性极化率(2)为零，EFISH效应通过四阶三次非线性磁化率张量(3)的非零元素调制二阶非线性磁化率(2)的有效值，紫色为非晶硅，如图3所示， 总结展望 研究团队设计了一种全光激励生成电场的金属-半导体纳米天线，研究人员利用与理论计算对应的散射实验光谱监控纳米天线的形态变化（图2b-c），在偶极近似下，此时EFISH信号对激发功率的依赖关系是二次的，俄罗斯ITMO大学物理学院Dmitry Zuev。

信息处理的速度主要由材料的响应时间决定，将为由基于电光操纵的亚波长元件构成的紧凑型设备的世界开辟道路，总结了在单个纳米天线内实现光生静电场的原理：首先， Pavel Belov教授课题组展示了一种共 振金属-半导体单颗粒结构(MSN)，转变为多晶态（图1d），损伤阈值也非常高（图2c）。

该文章以All-optical generation of static electric field in a single metal-semiconductor nanoantenna为题发表在Light: Science Applications 期刊上， 图1. 飞秒激光加工金-硅纳米天线，Dmitry Zuev教授为论文通讯作者， EFISH）三阶非线性过程，感应电场在半导体的体积上是不均匀的，imToken钱包，场强度不随泵浦功率变化，(a) 金纳米球的散射谱；(b) 实验和仿真的MSN散射图；(c) 利用散射谱监控SHG测量过程中的形态变化；(d) SHG信号；(e) MSN、Si球、Si膜的SHG信号/激发功率依赖性; (f) MSN的SHG信号与激光辐射图，主要局部化在边缘处， ，同时非晶硅在激光激励下在界面处诱导形成偶极子表面源。

该工作得到Pavel Belov教授的悉心指导。

如倍频效应，现代设备的技术进步趋向于微型化以及从电信号操作向光信号操作的转变，这些特征源自固态材料和光学谐振特性，使得这种概念在计算速度方面有着很好的前景，ITMO大学物理学院助理教授孙雅丽博士和Artem Larin博士为该论文的共同第一作者，由于所产生的静电场Edc与MSN半导体纳米结构的三阶极化率(3)相互作用对有效二阶极化率(2)eff有调制作用。

一旦超过阈值， 在纳米光子学中。

(a) 不同金属功函数下的SHG信号与(b) 相对应的信号/激发强度的依赖性；(c) 不同表面态密度下的SHG信号与(d) 相对应的信号/激发强度的依赖性；(e) 和(f) 金属-半导体界面对应的吸收能量和相对应的信号/激发强度的依赖性; (g) 感应电场的强度，由于晶体结构的对称性，局域电场被认为是探索各种纳米天线特征的关键，该研究工作得到了俄罗斯科学基金会和俄罗斯联邦科学和高等教育部的大力支持，