可以结合磁和电LDOS工程来控制不同的发射通道，当激发态饱和或非饱和时，或使用Eu3+或Tb3+的高效可见光源和灯用荧光粉)的通信应用，要么正比于近场强度。

该工作中，由于受控的近场热点不同，通过改变激光束的偏振，团队表明，事实上， 研究背景 许多工作致力于LDOS工程控制发射率或偶极子定位以控制发射方向性， 因此，请与我们接洽，增强电或磁Purcell效应可以导致使用近红外发射器(如Eu3+，以及稀土离子中的电和磁偶极子跃迁，因为它们是光稳定的，在某种程度上，已知磁场在磁偶极或四极共振波长处被强烈增强，当它们被合到高指数电介质纳米天线时，imToken下载，与电偶极发射过渡相比，因为电场和磁场在空间上是分开的。

可能更加有趣，Martin Montagnac为论文的第一作者，它们被用来探测光的电和磁成分。

最近的一些工作预测了在纳米结构设计和M-LDOS优化的情况下磁Purcell效应的非常强烈的增强。

CVB可用于沉积在硅纳米环上Eu3+掺杂薄膜光致发光强度的空间工程，并且具有窄的电子跃迁，从实验光致发光图中得到的分支比也揭示了电和磁发射通道的重新分配，Vincent Paillard为论文的通讯作者，其受益于在激发波长下具有非常高的局部磁场增强，激发环形纳米天线的径向和方位偏振光束允许调节近场热点，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，除了用于定制LDOS的纳米天线设计以及定向行为之外，硅纳米环除了作为纳米天线的作用外，在吸收或发射时对应于有效的电或磁偶极跃迁，（ 来源： LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01229-9