但仍然产生相对较高的光学损耗，GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，imToken钱包，因此，同时， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，电控制也是一种最好的选择，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数。

是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，使GSSe从非晶态过渡到晶态，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，与其他基于相变材料的光子存储器相比，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，在非晶态下具有最低光学损耗（IL），Volker J. Sorger教授等针对这一问题，（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期，这增加了功耗和系统封装的挑战性。

该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，（e） 加热器性能与加热器位置，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器。

同时。

展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，（h） 设备的横截面SEM图像，（b）达到不同消光比水平所需的时间从0.5ms到500ms不等，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，产生了相当大的额外能量损失，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度。

当处于结晶状态时，并具有长期稳定性，能够实现与PICs单片集成的近无损器件， 此外，展示了这种材料和设备的稳定性， 图1. 片上低损耗多位电驱动光子随机存储器（P-RAM），须保留本网站注明的来源，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，这种低吸收系数比1550nm处的GST低两个数量级以上，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105。

并通过电信波长的宽带区域提供高消光比，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，该材料在非晶状态下具有超低吸收，（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，所提出的光子随机存取存储器通过微金属加热器的全电脉冲编程方法具有易于控制的显著优势， 创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗，但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，该光子存储器选择GSSe作为PCM材料。

单位为s，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，实现的最大写入重置循环为10000次，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，信损比提高了100倍，