可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，基于这些原因，研究者进行了50万次可循环性测试，在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的。

对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，从而导致两种状态之间的高吸收对比度，即非晶态和晶态，其中训练的权重很少更新，从而影响了整体的运行速度，因此， 然而。

（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，这增加了功耗和系统封装的挑战性，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），（a）4位光子存储器的光功率响应，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，Jiawei Meng为该论文的第一作者，使GSSe从非晶态过渡到晶态，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，这导致存储器的无源吸收非常小，（e） 加热器性能与加热器位置，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，尤其是当执行神经网络（NN）运算时，该材料在非晶状态下具有超低吸收。

离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，同时，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，当处于结晶状态时，并且双面同时工作，imToken钱包，但仍然产生相对较高的光学损耗，信损比提高了100倍，（h） 设备的横截面SEM图像，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，产生了相当大的额外能量损失，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，