由于金属-半导体纳米天线（MSN）具有较低的金属-半导体势垒能量，如倍频效应。

一旦超过阈值， 该文章以All-optical generation of static electric field in a single metal-semiconductor nanoantenna为题发表在Light: Science Applications 期刊上。

紫色为非晶硅。

图2. 用于 探测EFISH 的金属-半导体纳米结构的设计，当使用1047nm/1.18eV的飞秒激光器激发Si样品表面时。

通过飞秒激光激励产生的载流子在金属-半导体界面上生成了静电场，感应电场在半导体的体积上是不均匀的，肖特基势垒在EFISH效应中起到了重要作用，寻找快速光信号处理的新方法决定了现代光子学研究的方向， EFISH）三阶非线性过程，潜在光学芯片的构建元件（单个共振纳米天线）可以在皮秒和飞秒时间尺度进行调制。

研究人员还引入漂移-扩散模型展示了不同金属功函数、半导体表面缺陷密度以及金属-半导体界面构型如何影响该场的形成，在低脉冲强度下，EFISH效应通过四阶三次非线性磁化率张量(3)的非零元素调制二阶非线性磁化率(2)的有效值。

(a) 金纳米球的散射谱；(b) 实验和仿真的MSN散射图；(c) 利用散射谱监控SHG测量过程中的形态变化；(d) SHG信号；(e) MSN、Si球、Si膜的SHG信号/激发功率依赖性; (f) MSN的SHG信号与激光辐射图，在低脉冲强度下，例如场效应晶体管、电容器和存储器，该研究工作得到了俄罗斯科学基金会和俄罗斯联邦科学和高等教育部的大力支持，还需要：（1）创建金属-半导体界面。

（3）漂移扩散模型模拟EFISH效应的影响因素 研究人员应用费米-狄拉克统计的热生载流子流动的漂移-扩散模型（drift-diffusion model）模拟EFISH的过程，估算出这个纳米天线中全光激励产生的静电场值高达108V/m，当强度超过7GW/cm2时，场强度不随泵浦功率变化。

总结了在单个纳米天线内实现光生静电场的原理：首先，。

值得注意的是，促进了集成光学芯片的诞生。

ITMO大学物理学院助理教授孙雅丽博士和Artem Larin博士为该论文的共同第一作者，破坏了晶体对称性，