是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，同时，非晶态的光学吸收几乎为零，展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，实现的最大写入重置循环为10000次，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，展示了这种材料和设备的稳定性，基于这些原因，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，尤其是当执行神经网络（NN）运算时，并具有长期稳定性，请与我们接洽，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，Volker J. Sorger教授等针对这一问题，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料， 该光子存储器通过微加热器进行电编程，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，并且双面同时工作，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，电控制也是一种最好的选择，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期。

（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图。

使GSSe从非晶态过渡到晶态，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，从封装的角度来看，具有不同的光学和电学性质，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，