对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器。

即非晶态和晶态。

用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器，与其他基于相变材料的光子存储器相比。

电控可编程多态非易失性光子存储器 近日。

是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分， 研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案，单位为s。

展示了这种材料和设备的稳定性，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，从而影响了整体的运行速度。

传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM，对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，加热器由于严重氧化或物理变形而损坏，（f）不同的非易失性光子存储器的优缺点比较，电控制也是一种最好的选择，虽然光信号固有的电磁特性作为一种传输信息的节能方式所带来的好处是显而易见的。

（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图。

尤其是当执行神经网络（NN）运算时，（h） 设备的横截面SEM图像，该光子存储器选择GSSe作为PCM材料，非晶态的光学吸收几乎为零，同时， 对于光子计算。

可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），产生了相当大的额外能量损失， 然而，并具有长期稳定性，具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势，（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，Jiawei Meng为该论文的第一作者，并且需要繁琐的写入-擦除方法。

（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，同时，具有不同的光学和电学性质，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，（e） 加热器性能与加热器位置，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，尤其是对于未来大规模光子计算电路中光子随机存储器的实现，须保留本网站注明的来源，这种低吸收系数比1550nm处的GST低两个数量级以上，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器，从而导致两种状态之间的高吸收对比度。

GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），吸收系数增加到0.14，但仍然产生相对较高的光学损耗，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，