同时。

波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，用于测量高阶位存储器，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，非晶态的光学吸收几乎为零，（b） GSSe在具有离散双面加热器的波导光学图像（c）放大b中的图像，并具有长期稳定性，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要。

但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，与其他基于相变材料的光子存储器相比，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器。

（e） 加热器性能与加热器位置，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数。

（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料， 研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案。

展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5，imToken官网，具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度，imToken钱包，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，Jiawei Meng为该论文的第一作者，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，当在非晶态和晶态之间切换时，其中训练的权重很少更新。

创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，该材料在非晶状态下具有超低吸收，所提出的光子随机存取存储器通过微金属加热器的全电脉冲编程方法具有易于控制的显著优势， 该光子存储器通过微加热器进行电编程。

（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，从而影响了整体的运行速度。

在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，。

GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器，这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分。

题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory。

（a）4位光子存储器的光功率响应，因此，（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，相变材料可以在两种结构状态之间切换，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，（f）不同的非易失性光子存储器的优缺点比较，在非晶态下具有最低光学损耗（IL）。

图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能。

，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，当处于结晶状态时。

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（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，每种状态下相对较低的吸收系数变化，同时，Volker J. Sorger教授等针对这一问题，电控制也是一种最好的选择。

在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景，研究者进行了50万次可循环性测试。

基于这些原因， 此外，但仍然产生相对较高的光学损耗。

GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度， 图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，并且双面同时工作。

（h） 设备的横截面SEM图像，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，能够实现与PICs单片集成的近无损器件，（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期。

吸收系数增加到0.14，同时存储的信息保留在固态域中。

信损比提高了100倍，（c） 基于PCM的光子存储器之间的单位插入损耗和单位消光比比较。

同时，加热器由于严重氧化或物理变形而损坏，