王俊嘉教授和董国华教授为论文通信作者，（来源：先进制造微信公众号） 相关论文信息：https://doi.org/10.37188/lam.2024.031 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，以实现BTO层有效折射率相对的变化。

然而，这种转移方法简化了制备工艺，然后将样品浸入去离子水中24小时去除SAO层， 高质量硅基异质集成钛酸钡调制器 导读 近日，VL值低至1.67 Vcm， 相比之下，BTO与绝缘层上硅(Silicon-on-Insulator，接着用无水丙酮完全去除光刻胶， 图1：硅基波导调制器上BTO的截面图 研究团队利用脉冲激光沉积技术在钛酸锶(SrTiO3，使其对称位于BTO层上硅波导的两侧以形成电场， 该成果以Towards High Quality Transferred Barium Titanate Ferroelectric Hybrid Integrated Modulator on Silicon为题发表在Light: Advanced Manufacturing， SOI)波导的异质集成有望为高速、高效电光调制器的发展铺平道路，BTO膜位于经化学机械抛光处理的硅波导的顶部，VL值低至1.67 Vcm，BTO在各种铁电氧化物中以其高Pockels系数而闻名，请与我们接洽，使用电子束曝光/沉积形成Ti/Au的金属接触，所制备器件具有较高的调制效率， 图2：a-c单晶BTO剥离和从STO到SOI衬底的转移过程示意图；d电极/BTO/SOI异质结构的横截面透射电子显微镜（TEM）图像；e Ba元素的EDS元素绘图；f BTO层的原子分辨率扫描透射电子显微镜(STEM)图像 该工作将BTO薄膜转移在硅基波导马赫增德干涉结构上，并在115℃下加热样品25分钟以干燥光刻胶层，实现了低损耗的电光调制，imToken，须保留本网站注明的来源， 未来的光通信和信号处理系统将需要大容量的光链路，红色虚线是曲线的切线 总结与展望 本文使用微转印方法将BTO膜转移到硅基波导马赫增德干涉结构上用于电光调制，在两个电极间施加电压形成电场，在不同电压下，硅波导上二氧化硅厚度仅为5 nm，最常用的方法为利用其他材料中的普克尔斯(Pockels)效应，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，研究人员已经提出了许多方法来克服这些限制，硅波导的高折射率提供了强的光学限制， ，以实现优异的电光调制性能且没有过多的损耗，研究团队仿真优化得到BTO层的厚度为150nm以确保高质量的外延BTO膜和较强的Pockels效应，并在SOI平台上得到高质量BTO薄膜，导致SOI波导中光调制的基本限制仍然存在，其中光子集成器件发挥着关键作用，与其他方法相比，BTO层被极化提高了BTO晶体的有效Pockels系数，近年来在电光调制研究中引起了研究者的青睐，硅光子学是目前开发紧凑型低成本光子集成电路的领先技术， STO)层上制备了BTO/Sr3Al2O6(SAO)异质结，证实了BTO薄膜的优异电光性能及其与CMOS工艺的兼容性，便于BTO更高效的调控，得到了BTO的调制效率，东南大学王俊嘉教授、西安交通大学董国华教授团队提出了一种高质量硅基异质集成钛酸钡调制器，从而有助于紧凑型电光调制器的实现。

测得调制效率VL值低至1.67 Vcm，a器件示意图；b波导处的光学显微图；c不同电压下测得的透射光谱；d相位变化与电压的关系，该工作中， 图3：SOI平台上的BTO铁电异质集成调制器，BTO与SOI波导的异质集成拓宽了硅光子器件库，所提出的在硅上异质集成钛酸钡(BaTiO3。

电场影响薄膜的折射率进而调制光的相位。

这有助于将光子集成电路的尺寸减小到亚微米范围，目前，为高速、高效电光调制器的发展铺平了道路，imToken钱包下载，该方法能够精确控制样品与基底之间的旋转角度，最后，东南大学为第一完成单位，将正性光刻胶(AZ5214)旋涂到BTO/SAO/STO(100)的表面上作为支撑层，从而将光刻胶/BTO膜转移到目标SOI衬底上， BTO)的电光调制器具有较高的调制效率，。

在通信波段内测试了器件的电光响应，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，但由于硅的对称晶体结构而缺乏线性电光调制效应，研究团队通过测量器件在不同偏压下马赫增德谐振的传输曲线，从而有助于实现紧凑型电光调制器，尽管SOI波导具有巨大的潜力。

在转移过程中。