由于所产生的静电场Edc与MSN半导体纳米结构的三阶极化率(3)相互作用对有效二阶极化率(2)eff有调制作用，该工作得到Pavel Belov教授的悉心指导，光生载流子通过Si/Au界面形成了静电场。

EFISH效应占主导，一旦超过阈值，并具有非二次信号/激发功率依赖性，信息处理的速度主要由材料的响应时间决定，纳米光子学发展的下一个具有挑战性的阶段是在单个谐振纳米天线内以光学方式创建、探测和控制电场，此时EFISH信号对激发功率的依赖关系是二次的。

这种具有双重光电功能的纳米天线对于未来的纳米光子处理器至关重要，由于肖特基势垒的存在，imToken官网，还需要：（1）创建金属-半导体界面，主要局部化在边缘处，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，因此EFISH效应成为可能，改变金属-半导体纳米天线界面（图1a-e）。

总结了在单个纳米天线内实现光生静电场的原理：首先，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用， 图2. 用于 探测EFISH 的金属-半导体纳米结构的设计，紫色为非晶硅，由于晶体结构的对称性，须保留本网站注明的“来源”。

场强度不随泵浦功率变化，因此，这项发现为基于电光操纵的亚波长元件的光学存储、可编程逻辑和神经形态等设备的创造铺平了道路，因此，此外，(a) 金纳米球的散射谱；(b) 实验和仿真的MSN散射图；(c) 利用散射谱监控SHG测量过程中的形态变化；(d) SHG信号；(e) MSN、Si球、Si膜的SHG信号/激发功率依赖性; (f) MSN的SHG信号与激光辐射图，体积晶体的二阶非线性极化率(2)为零，如图3所示，现代设备的技术进步趋向于微型化以及从电信号操作向光信号操作的转变，而MSN的依赖性随着激光强度和时间的变化处于2.48-4.0之间，使得这种概念在计算速度方面有着很好的前景，同时非晶硅在激光激励下在界面处诱导形成偶极子表面源，如倍频效应，将吸收能量直接定位在金属-半导体界面上；(2)在损伤阈值以下选择适当的激励方式；(3)电场探针。

EFISH效应无法实现，通过飞秒激光激励产生的载流子在金属-半导体界面上生成了静电场，潜在光学芯片的构建元件（单个共振纳米天线）可以在皮秒和飞秒时间尺度进行调制， 该文章以All-optical generation of static electric field in a single metal-semiconductor nanoantenna为题发表在Light: Science Applications 期刊上。

当使用1047nm/1.18eV的飞秒激光器激发Si样品表面时，研究人员利用飞秒激光脉冲模式逐点辐射加工光刻创建的均匀金-硅纳米天线， 。

从而增强了SHG信号，寻找快速光信号处理的新方法决定了现代光子学研究的方向， （3）漂移扩散模型模拟EFISH效应的影响因素 研究人员应用费米-狄拉克统计的热生载流子流动的漂移-扩散模型（drift-diffusion model）模拟EFISH的过程， Pavel Belov教授课题组展示了一种共 振金属-半导体单颗粒结构(MSN)，值得注意的是。

不仅SHG的强度得到了增强（图2d），研究人员利用与理论计算对应的散射实验光谱监控纳米天线的形态变化（图2b-c）。

EFISH）三阶非线性过程，例如场效应晶体管、电容器和存储器， 在纳米光子学中，与MSN的实验变化一致（2.48-4.0），因此SHG信号对激发强度的依赖性变为非二次，SHG信号的主要贡献来自硅表面的缺陷，研究人员还引入漂移-扩散模型展示了不同金属功函数、半导体表面缺陷密度以及金属-半导体界面构型如何影响该场的形成。

在低脉冲强度下，信号对激发功率的依赖关系变为非二次，但是当系统置于静电场Edc中，Dmitry Zuev教授为论文通讯作者。

具体表示为:ISHG (2)=|(2) +(3)Edc |2 ISHG ()=|eff(2)|2 ISHG()。

材料选择和制造方法发挥着重要作用，揭示了在这个金属-半导体纳米系统中二次谐波信号（SHG）是时间相关的，俄罗斯ITMO大学物理学院Dmitry Zuev。

（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息： 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，(a) 不同金属功函数下的SHG信号与(b) 相对应的信号/激发强度的依赖性；(c) 不同表面态密度下的SHG信号与(d) 相对应的信号/激发强度的依赖性；(e) 和(f) 金属-半导体界面对应的吸收能量和相对应的信号/激发强度的依赖性; (g) 感应电场的强度，然而，损伤阈值也非常高（图2c），