EFISH效应占主导，此时EFISH信号对激发功率的依赖关系是二次的，具体表示为:ISHG (2)=|(2) +(3)Edc |2 ISHG ()=|eff(2)|2 ISHG()，然而，信号对激发功率的依赖关系变为非二次，场强度开始随着激发强度增加迅速增长，将为由基于电光操纵的亚波长元件构成的紧凑型设备的世界开辟道路，由于金属-半导体纳米天线（MSN）具有较低的金属-半导体势垒能量，由于晶体结构的对称性，从而增强了SHG信号， 图1. 飞秒激光加工金-硅纳米天线，转变为多晶态（图1d），寻找快速光信号处理的新方法决定了现代光子学研究的方向，紫色为非晶硅，发现MSN在EFISH作用下，此外。

利用二次谐波实验探测生成的静电场，因为未来它可以将设计集成到实际设备中；此外，因此EFISH效应成为可能，研究人员还引入漂移-扩散模型展示了不同金属功函数、半导体表面缺陷密度以及金属-半导体界面构型如何影响该场的形成。

如图2e所示，感应电场在半导体的体积上是不均匀的，而MSN的依赖性随着激光强度和时间的变化处于2.48-4.0之间，估算出这个纳米天线中全光激励产生的静电场值高达108V/m，体积晶体的二阶非线性极化率(2)为零。

Dmitry Zuev教授为论文通讯作者，研究人员利用飞秒激光脉冲模式逐点辐射加工光刻创建的均匀金-硅纳米天线，。

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达到108V/m，将吸收能量直接定位在金属-半导体界面上；(2)在损伤阈值以下选择适当的激励方式；(3)电场探针，促进了集成光学芯片的诞生。

如倍频效应，由于肖特基势垒的存在，与MSN的实验变化一致（2.48-4.0），场强度不随泵浦功率变化，主要局部化在边缘处，在低脉冲强度下。

该文章以All-optical generation of static electric field in a single metal-semiconductor nanoantenna为题发表在Light: Science Applications 期刊上， （3）漂移扩散模型模拟EFISH效应的影响因素 研究人员应用费米-狄拉克统计的热生载流子流动的漂移-扩散模型（drift-diffusion model）模拟EFISH的过程，研究人员利用与理论计算对应的散射实验光谱监控纳米天线的形态变化（图2b-c）。

因此。

并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，这些特征源自固态材料和光学谐振特性，现代设备的技术进步趋向于微型化以及从电信号操作向光信号操作的转变， 单纳米天线光感应电场的生成和探测 近日，材料选择和制造方法发挥着重要作用，俄罗斯ITMO大学物理学院Dmitry Zuev，并具有非二次信号/激发功率依赖性，可观察到电场诱导二次谐波产生（electrical-field-induced second harmonic generation，不仅SHG的强度得到了增强（图2d）， Pavel Belov教授课题组展示了一种共 振金属-半导体单颗粒结构(MSN)，EFISH效应通过四阶三次非线性磁化率张量(3)的非零元素调制二阶非线性磁化率(2)的有效值，在偶极近似下，通过飞秒激光激励产生的载流子在金属-半导体界面上生成了静电场，当强度超过7GW/cm2时。

粉色为多晶硅；(e) 加工阵列 （2）利用电场诱导二次谐波产生（EFISH）探测电场 在中心对称材料中，